大发快三官网开奖|毕业论文_Bi-CMOS集成运算放大器的电路分析及版图

 新闻资讯     |      2019-12-14 01:45
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  焊盘的合理布局对与系统内部各信号之间的连接非常重要其布局还应该便于测试再有就是以减小版图面积节省成本为出发点。其宗旨是:尽量减小版图的面积方便各个器件之间的布线使版图美观等。N阱扩散和深重掺杂N区生长一层薄氧化层进行光刻并进行磷离子注入接着向下推结形成阱区扩散在阱与埋层接触之前停止推结以方便在制作工艺中适当的插入重掺杂N型淀积。理想的放大器应该无噪声、具有无穷大增益和输入阻抗、无穷小输出阻抗以及零失调电压等。简介:本文档为《毕业论文_Bi-CMOS集成运算放大器的电路分析及版图设计doc》,图共模输出范围失调电压仿真如图所示其失调电压约为mV。在和两端分别标明和。思想品德,首先在画单管的时候我们可以建立自己的底层单元在整个版图的绘制中我们可以调用底层单元这样不仅减少工作量而且在DRC验证出错时可以避免挪动太多只需修改底层单元就可以将整个版图中出现的相同错误全部改正这样就可以很方便的完成版图编辑工作。biascircuit,最后我要特别感谢我的导师赵达睿老师、和研究生助教熊伟丽老师。四年的风风雨雨我们一同走过充满着关爱给我留下了值得珍藏的最美好的记忆。通孔用于一层金属与二层金属之间的连接双层互联的通孔设计需要注意几点规则:不能使用叠置类型的通孔与第二层金属的连线必须通过第一层金属通孔应该是非垂直形状已取得较好的台阶覆盖。各级之间采用直接耦合的方式。

  感谢老师四年来对我孜孜不倦的教诲对我成长的关心和爱护。也就是的温度系数其值越小越好。考虑沟道长度调制系数则==(式)∴==(式)将上述参数代入式可得=设计运算放大器的下一步是确定第二级的放大倍数。作者签名:日期:年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版允许论文被查阅和借阅。若是双极型的线性电路需增加一个在摸索工艺条件时可直接用探针检测的NPN、PNP样管。学位论文作者(本人签名):年月日学位论文出版授权书本人及导师完全同意《中国博士学位论文全文数据库出版章程》、《中国优秀硕士学位论文全文数据库出版章程》(以下简称“章程”)愿意将本人的学位论文提交“中国学术期刊(光盘版)电子杂志社”在《中国博士学位论文全文数据库》、《中国优秀硕士学位论文全文数据库》中全文发表和以电子、网络形式公开出版并同意编入CNKI《中国知识资源总库》在《中国博硕士学位论文评价数据库》中使用和在互联网上传播同意按“章程”规定享受相关权益。完整的版图:有制造掩膜版的各个层(一般都有十多层)遵守工艺制造水平的设计规则其结构分版图内部(各种门电路、D触发器、加法器、RAM、ROM等)、外围、输入、输出、压点(主要是输入、输出端口以及其端口的顺序)、电路代号、版序、对图符号、版图设计时间、划片距离、制版检查标记等。图增益CMOS集成运放的参数计算确定器件参数的原则L确定:考虑MOS管的耐压工艺水平沟道长度调制效应对器件特性的影响?

  版图验证的过程主要包括:设计规则检查(DesignRuleChecking简称DRC)用于检查版图的几何尺寸是否满足芯片制造过程中根据工艺确定的规则或约束条件包括图形的宽度、图形的间距等。除了文中特别加以标注引用的内容外本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。图BiCMOS器件工艺的结构简图BiCMOS工艺的结构特点自对准形成双埋层以及双阱N阱用于制作PMOS管NPN管和LPNP管P阱用于制作NMOS管VPNP管和一些器件之间的隔离。差模输入电阻差模输入电阻是指输入差模信号时运算放大器的输入电阻即差模输入的电压值与相对应的输入电流值之比可衡量放大器向信号源索取电流的能力。是他们在我毕业的最后关头给了我们巨大的帮助与鼓励给了我很多解决问题的思路在此表示衷心的感激。是将MOS晶体管和双极性器件集成在同一块芯片上的技术其基本思想是:以MOS晶体管作为电路的主要器件单元在要求驱动大电容负载的地方加双极型器件或其组成的电路。输出共模范围为V失调电压为mV摆率较小的放大器电路设计。工艺Subject:AnalysisandlayoutdesignofCMOSintegratedOPAbstractIntegratedoperationalamplifierisanimportantelectroniccomponents,直流分析是分析电流【电压】和电流【电压】之间的关系。电路,逻辑综合后得到门级网表。

  W确定:对于长沟器件根据工艺水平先考虑沟道宽度再根据WL确定L的值源漏尺寸越小寄生电容及漏电流就越小。提取后的电路将以Extracted的文件形式保存到库中。如果加工厂家没有各种器件的检测版还需要各种器件的样管样电阻。themiddlestageandoutputstageTheinputsignalisloadedintotheinputstag过硬件实现。为了使输出电压为零在输入端所加的补偿电压即为输入失调电压。按照电路原理图画出所有器件所对应的版图再对这些版图进行合理的布局。大面积的硼沟道终止注入可以调整P型外延层上的厚场阈值电压光刻后再进行磷沟道终止注入以确定阱区的厚场阈值电压。绘制出了放大器的版图并且通过了进行DRC验证和LVS验证。在这里我要衷心的感谢王瑾同事对我的耐心讲解和悉心指导在他的帮助下我顺利完成了毕业设计。电路仿真Composerschematic界面中的Tools→AnalogArtist项可以打开AnalogArtistSimulation出现如图所示的窗口。在画版图时要按照一定的设计规则来进行即要通过设计规则检查DRC(DesignRuleChecking)的验证。MOS工艺集成电路及其组成的电路虽然在集成度高、功耗低、抗干扰能力强等方面比双极工艺更具优势但却不能满足速度高、电流驱动能力等技术方面的要求。可作为误差放大器、比较器、滤波器等。LVS完成后可以在上面的弹出菜单中单击Output这时会弹出LVS的结果。Imainlystudytheworksoftheopampcircuitprincipleandlayoutdesign,经过调用和设置参数可得到与电路图参数一致的相对应的器件版图如图所示:图调用PMOS管如上步骤再依次对NMOS管电容和电阻进行调用并设置参数。

  N型埋层很短时间的热氧化就可以在整个硅片上生长一层薄氧化层采用N型埋层可以对这层氧化层进行光刻并刻蚀N型杂质注入的窗口。最后的工作就是了解BiCMOS工艺我主要了解了BiCMOS工艺发展及其应用领域熟悉工艺流程。它是衡量差放输入级的对称程度和运算放大器抑制共模干扰信号能力的参数也可以用来衡量运算放大器抑制温漂的能力。版图的整体检查这一步主要是在电路的外围做焊盘和保护环。CMOS运算放大器的设计原理集成运放电路基本原理运算放大器是目前应用非常广泛的一种器件它实质上是一个高增益的直接耦合多级放大电路当外部接入不同信号(线性或者非线性)时可得到特定关系的输出信号!

  版图检查DRC验证这一步是对版图的设计规则进行检查。这种结构克服了以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS结构的缺点而且还可以用此工艺获得对高电压大电流很有用的纵向NPN管结构。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。所以通过DRC验证的版图还要经过电路与版图的对应检查LVS(LayoutVersusSchematic)的验证。图相位裕度增益的仿真如图所示有图可得放大器的放大增益约为dB。老师们认真负责的工作态度严谨的治学精神和深厚的理论水平都使我收益匪浅。尽我所知除文中已经注明引用的内容外本设计(论文)不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。作者签名:日期:年月日导师签名:日期:年月日指导教师评阅书指导教师评价:一、撰写(设计)过程、学生在论文(设计)过程中的治学态度、工作精神□优□良□中□及格□不及格、学生掌握专业知识、技能的扎实程度□优□良□中□及格□不及格、学生综合运用所学知识和专业技能分析和解决问题的能力□优□良□中□及格□不及格、研究方法的科学性技术线路的可行性设计方案的合理性□优□良□中□及格□不及格、完成毕业论文(设计)期间的出勤情况□优□良□中□及格□不及格二、论文(设计)质量、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?□优□良□中□及格□不及格、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?□优□良□中□及格□不及格三、论文(设计)水平、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义□优□良□中□及格□不及格、论文的观念是否有新意?设计是否有创意?□优□良□中□及格□不及格、论文(设计说明书)所体现的整体水平□优□良□中□及格□不及格建议成绩:□优□良□中□及格□不及格(在所选等级前的□内画“√”)指导教师:(签名)单位:(盖章)年月日评阅教师评阅书评阅教师评价:一、论文(设计)质量、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?□优□良□中□及格□不及格、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?□优□良□中□及格□不及格二、论文(设计)水平、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义□优□良□中□及格□不及格、论文的观念是否有新意?设计是否有创意?□优□良□中□及格□不及格、论文(设计说明书)所体现的整体水平□优□良□中□及格□不及格建议成绩:□优□良□中□及格□不及格(在所选等级前的□内画“√”)评阅教师:(签名)单位:(盖章)年月日教研室(或答辩小组)及教学系意见教研室(或答辩小组)评价:一、答辩过程、毕业论文(设计)的基本要点和见解的叙述情况□优□良□中□及格□不及格、对答辩问题的反应、理解、表达情况□优□良□中□及格□不及格、学生答辩过程中的精神状态□优□良□中□及格□不及格二、论文(设计)质量、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?□优□良□中□及格□不及格、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?□优□良□中□及格□不及格三、论文(设计)水平、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义□优□良□中□及格□不及格、论文的观念是否有新意?设计是否有创意?□优□良□中□及格□不及格、论文(设计说明书)所体现的整体水平□优□良□中□及格□不及格评定成绩:□优□良□中□及格□不及格(在所选等级前的□内画“√”)教研室主任(或答辩小组组长):(签名)年月日教学系意见:系主任:(签名)年月日学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文是本人在导师的指导下进行的研究工作所取得的成果。从他身上我学到了许多能受益终生的东西。如电路图所示其要求是两个管子和的参数完全相同而且两个管子的温度也完全对称这样的要求可以效抑制共模噪声。其剖面图如图所示:图源漏注入剖面图金属化及保护层双层金属流程一般需要个步骤:接触一层金属通孔二层金属最后一层是保护层。BiCMOS工艺的发展与应用近年来随着微电子学技术的快速发展以及集成电路应用领域的不断扩大尤其表现在通讯设备和计算机系统的发展与应用这些电子行业对于器件集成度、高速度、小型化、高精度、低电压、低功耗和高性价比等方面的要求越来越高。

  Tran分析是分析参量值随时间变化的曲线)。适合于组成差动电路。输出电压实的际方向从参考电压端指向端,在硅集成电路中金属连线一般要满足以下几点要求:与掺杂硅或者多晶硅形成的欧姆接触电阻要尽可能的小从而提高电路的速度金属材料的抗电迁移性能好可以在长期较高电流密度下符合不致引起金属失效键合点可以长期工作。本人愿意按照学校要求提交学位论文的印刷本和电子版同意学校保存学位论文的印刷本和电子版或采用影印、数字化或其它复制手段保存设计(论文)同意学校在不以营利为目的的前提下建立目录检索与阅览服务系统公布设计(论文)的部分或全部内容允许他人依法合理使用。.大电容和电感不易制造多级放大电路都用直接耦合。在阱推结的过程中会形成一层薄的氧化层可以用它对重掺杂N型淀积进行光刻。按功能可分为模拟集成电路即对模拟信号进行处理的集成电路数字集成电路即对数字信号进行处理的集成电路和数模混合电路即对数字信号和模拟信号进行处理的集成电路三两大类其中集成电路运算放大器在模拟集成电路中应用最广泛它实质上是一个高增益的直接耦合多级放大电路。典型的混合信号集成电路一般包含的数字电路和的模拟电路!

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  另一方面N阱扩散会影响PMOS管和双极型晶体管的某些参数。常用二极管和三极管组成的恒流源和电流源代替大的集电极电阻和提供微小的偏量电流二极管用三极管的发射结代替。芯片制造商会根据生成的GDSII或CIF文件制作掩膜版进而制造芯片。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体均已在文中以明确方式标明。图的框图更清晰的展示了集成电路后端设计的具体流程:集成电路后端设计流程DRC验证在作DRC验证时首先在VirtuosoLayoutEditor编辑窗口中选择Verify会弹出如图所示:图DRC验证窗口选择其中的DRC选项会弹出一个窗口如图所示:图工艺选择窗口在Switchname中选择相对应的工艺再填上RulesFile和RulesLibrary即DRC验证所对应的工艺文件和工艺库之后就可以选择OK系统就可以根据DRC验证规则运行DRC了。双极型晶体管多采用多晶硅发射级结构发射级与MOS器件的栅极一起形成。可适用于高等教育领域毕业论文题目:BiCMOS集成运算放大器的电路分析及版图设计摘要集成运算放大器是一种重要电子元器件在电子产品中得到广泛应用,然后运行Analysis菜单下的start子菜单开始模拟模拟结果会在Waveform窗口中显示。单位增益带宽(BWG)单位增益带宽(BWG)是指当共模增益下降到时所对应的频率。Extract是系统根据工艺文件和版图提取版图的电路特性即辨认版图中的器件如:NMOS管PMOS管电容和电阻等。在学习集成运算放大器的工作原理时我通过查阅资料并结合在学校学过的专业知识从简单的单级放大器到差分放大器再到运算放大器逐步深入了解它们的工作原理。关键词:放大器,郭谦功老师渊博的知识、严谨的作风和诲人不倦的态度给我留下了深刻的印象。有源器件代替无源器件。

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  、和三管的作用是给电路提供合适的直流偏置。从这里走出对我的人生来说将是踏上一个新的征程要把所学的知识应用到实际工作中去。版图的寄生参数提取(LayoutparameterExtraction简称LPE)用于从版图中提取元器件的参数(例如MOS管的沟道长度宽度源漏区的周长面积等)、寄生电容、寄生二极管等。例如DRC验证时出错率最高的就是层与层、铝线与铝线之间的间距这就要求我在绘制版图之前必须熟悉工艺规则在LVS验证时错误主要表现在管子的尺寸和个数不匹配端口连接不匹配等这就要求我在绘制版图的过程中药认真仔细。验证结果如图所示:图DRC验证结果提取Extract文件做完DRC验证之后就可以进行Extract文件的提取了。但缺点是增加了版图面积和寄生电容电路的工作速度减小。最大共模输入电压最大共模输入电压是指保证运算放大器正常工作的前提下共模输入电压的最大值。如是对系统变量(如温度)扫描就略去这一步。和是共源放大器可作为二级放大。在给定偏置电流时增大MOS管的宽长比(一般长不变宽增大)则电路的共模抑制比增大噪声减小电路的匹配性好增益增大。在硅片上再涂一层光刻胶再采用重掺杂的N型源漏离子注入。电路与版图的对应检查(LayoutVersusSchematic简称LVS)用于版图和电路的一致性对照检查即检查电路和版图在节点及其连接关系、元器件及参数等方面是否匹配。同时我还粗略的了解了放大器的频率特性。再次对周巍老师表示衷心的感谢?

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  门级验证门级功能验证是寄存器传输级验证。提取结果如图所示:图提取Extract文件结果提取后模块如图所示:图Extract文件LVS验证图LVS验证窗口做完DRC验证和提取Extract文件之后就可以间进行LVS验证了。整体设计这一步主要确定版图设计的基本模块和焊盘的大致布局。确定器件的尺寸。BiCMOS工艺的工艺步骤以基于N阱的CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺为例简单介绍BiCMOS的工艺流程:衬底材料模拟BiCMOS一般选用的衬底材料是偏离晶轴一定切割角度的P型()衬底以减小版图失真。本人授权大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。一般可将运放简单地视为:具有一个信号输出端口(Out)和同相、反相两个高阻抗输入端的高增益直接耦合电压放大单元因此可采用运放制作同相、反相及差分放大器。尽我所知除文中特别加以标注和致谢的地方外不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果也不包含我为获得及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。请按照平台侵权处理要求书面通知爱问!图仿真窗口※仿真的具体步骤在EditVariables窗口中添加新的变量,包括语数外,它反映运算放大器对快速变化的输入信号的响应能力。填写Session(包括SchematicWindow、SaveState、LoadState、Options、Reset、Quit等菜单选项)Setup(包括Design、Simulatordirectory、noise四个选项分别对应的是交流分析、直流分析、瞬态分析和噪声分析。IIIunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknownunknow*若权利人发现爱问平台上用户上传内容侵犯了其作品的信息网络传播权等合法权益时,在集成电路中为了不使工艺复杂尽量采用单一类型的管子元件种类也要少所以集成电路在形式上和分立元件电路相比有很大的差别和特点。itisusedinelectronicapplicationsisveryextensivecurrently,最终的剖面图如图所示:图基区注入剖面图反型槽模拟BiCMOS工艺采用与多晶硅栅CMOS工艺相同的LOCOS工艺也就是使用反型槽掩膜版光刻厚的LPCVD氮化层并刻蚀最终形成的场氧化层区域。论文密级:□公开□保密(年月至年月)(保密的学位论文在解密后应遵守此协议)作者签名:导师签名:年月日年月日独创声明本人郑重声明:所呈交的毕业设计(论文)是本人在指导老师的指导下独立进行研究工作所取得的成果成果不存在知识产权争议。

  它表征运算放大器内部电路对称性的指标一定程度上也反映温漂的大小(一般只有几毫伏)。如图所示运算放大器的输出信号与两个输入端的信号电压差成正比=()其中是运放的低频开环增益(如dB即倍)图放大器的符号为了提高放大器的性能一般会将放大器的输出端和反响输入端短接起来形成负反馈负反馈的作用是保证电路工作是的稳定性。输入偏置电流输入偏置电流是指当输出电压为零时运算放大器的两个输入端偏置电流的平均值这个参数用于衡量差分放大对管输入电流的大小(一般为nAuA)。如果输入大于这个值差分输入管饱和则放大器失去共模抑制能力。三管的电流相等且三个管子都工作在包河区则有:==(式)由工艺参数可知:PMOS管=V=A,在这次毕业设计和论文的撰写中我要感谢刘老师时刻关心我的毕业设计进展情况。

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  CMOS运算放大器电路的特点集成电路的特点集成电路是通过氧化、光刻、扩散、外延、离子注入、金属化等集成工艺把晶体管电阻电容电感等器件连接在一起集中制作在一小块半导体基片上构成一个具有一定功能的电路。最常用的金属互联线是Cu和Al。共模抑制比KCMR共模抑制比即差模电压增益与共模电压增益之比常用分贝数来表示KCMR=lg(EMBEDEquationKSEE*MERGEFORMAT)(dB)。为了避免一层金属与二层金属直接接触在它们之间通常生长一层阻挡层一般使用TiN来作为这层阻挡层。

  以双极型工艺为基础的双阱BiCMOS工艺以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺虽然能得到较好的双极型器件性能但CMOS器件的性能不够理想。其瞬态总响应如图所示:图总瞬态响应其大信号上升响应如图所示摆率为VuS=VuS。小学教案大全,可能网络是不能感谢的但我在此也要感谢它因为我在浩瀚的网络资源中找到自己写作最需要的资料虽然我没有广博的计算机知识但在网上使我有了再次学习的机会。在封装和功率等方面的要求CMOS逻辑比双极型逻辑更具有优势所以制造数模混合信号电路最初采用CMOS工艺。作者签名:二〇一〇年九月二十日 毕业设计(论文)使用授权声明本人完全了解滨州学院关于收集、保存、使用毕业设计(论文)的规定。外延生长N型埋层退火后除去氧化层进行第二次外延淀积如图所示:图外延生长剖面图在第二次外延生长过程中反应会使N型埋层杂质析出并重新淀积这个过程称为自动掺杂可以引起在一次和二次外延层的交界面形成N型硅薄层并减小相邻阱之间的距离。版图的设计流程版图就是集成电路工艺制造所需的十多层掩膜版的物理几何图形的这十多层图形通过计算机辅助设计CAD工具按照一定规定叠加到一起所构成的整体物理图形这个图就叫做集成电路的版图。单一的MOS工艺和单一的双极型工艺都不能同时满足大规模集成电路在各个技术指标方面的要求因此一种新的技术工艺BiCMOS工艺出现了。运行DRC时程序就会按照DIVA规则检查文件运行当发现错误时在出错的地方标上记号并做出具体的解释。比如说:带宽、增益等需要计算的值这时我们可以在Outputssetup中设定其名称和表达式!

  寄生参数的提取和后仿真在制作实际电路的过程中通常会产生三种寄生参数:寄生电容(主要由金属连线和掺杂引起)寄生电阻(主要由金属和多晶硅的布局引起)和寄生电感。值得注意的是PMOS晶体管不需要轻掺杂上的漏区注入。转换速率(压摆率)转换速率是指在额定负载的条件下输入一个大的阶跃信号时输出电压的最大变化率。电学规则检查(ElectronicsRuleChecking简称ERC),逻辑综合确定硬件的设计描述语言正确后可以使用逻辑综合工具(synthesizer)进行综合即将VHDL或Verilog语言编写的行为模型转换为电路模型。以N阱CMOS为基础的BiCMOS工艺在此工艺中双极型晶体管与PMOS在P阱中形成。应具有较高的电压增益同时为了减小对前级的影响还应具有较高的输入电阻输出级:一般由电压跟随器组成以降低输出阻抗提高电路的带载能力同时要求线性范围宽非线性失真小等。其剖面图如图所示:图LOCOS氧化剖面图阈值调节硼调节阈值注入可以同时提高NMOS管的阈值电压或者较低PMOS管的阈值电压。第四章BiCMOS工艺BiCMOS(bipolarcomplementarymetaloxidesemiconductor即双极互补金属氧化半导体)。最大差模输入电压最大差模输入电压是指运算放大器的两输入端所能承受的最大差模输入电压超过这个电压时,决定模块之后可以用VHDL或Verilog等硬件描述语言实现各模块的设计。这个布局应该以功能框图或电路原理图为参考使它们在布局上大体一致然后在根据各个模块版图面积的大小进行适当的调整。这种结构的缺点是NPN管集电极的串联电阻太大影响双极型器件的性能尤其是驱动能力。在综合过程中需要选择合适的逻辑器件库(logiccelllibrary)以作为合成逻辑电路时的参考依据。另外我还要感谢大学四年和我一起走过的同学朋友对我的关心与支持与他们一起学习、生活让我在大学期间生活的很充实给我留下了很多难忘的回忆。CMOS集成运放电路的设计建库我们编辑版图是在Cadence软件中的VirtuosoLayoutEditor的版图编辑环境中来进行版图的编辑。当输入电压加在端和参考电压端之间,建立NMOS管的底层版图单元如图所示:图建立NMOS管的底层单元在系统的库中调出NMOS管的版图保存在所建的layoutnmos单元中如图:图NMOS管的版图建立PMOS管的底层版图单元如图所示:图建立PMOS管的底层单元在系统的库中调出PMOS管的版图保存在所建的layoutpmos单元中如图:图PMOS管的版图建立电阻的底层版图单元如图所示:图建立电阻的底层单元在系统的库中调出电阻的版图保存在所建的layoutres单元中如图:图电阻的版图建立电的底层版图单元如图所示:图建立电的底层单元在系统的库中调出电容的版图保存在所建的layoutcap单元中如图:图电容的版图编辑电路版图图版图编辑窗口使用上面建立的NMOS单元PMOS单元电容单元和电阻单元个底层单元在layout单元中编辑整个电路的版图。通过电路仿真我更加深刻的理解了运算放大器的各个参数的意义并且更清楚各参数的变化对电路性能的影响。

  随着集成电路的不断发展人们对集成度的要求也越来越高更复杂和更高成本的工艺出现了。等选项中的交直流电压、电流、温度等仿真所需的参数然后选择需要仿真的端口最后点击绿灯就可以进行电路的参数仿真了。其剖面图如图所示:图阈值调节剖面图多晶硅的淀积及光刻MOS晶体管的栅由淀积本证多晶硅后大面积磷淀积掺杂形成的重掺杂N型多晶硅构成的。在图所示的窗口下选择LVS会弹出如图所示的窗口再填上RulesFile和RulesLibrary即进行LVS验证文件所对应的工艺文件和工艺库在LVS中比较的是两个网表一个是schematic中另一个是extracted设置完之后就可以选择run进行LVS验证了。为了进一步提高BiCMOS电路的性能满足双极型和CMOS两种器件的不同要求采用以双阱工艺为基础的BiCMOS结构这种结构的特点是采用N型重掺杂和P型重掺杂的双埋层双阱结构采用薄层外延来实现双极型器件的高截止频率和窄隔离宽度。DRC验证只是对版图的几何图形进行检查要检查电路原理图中的错误则需要用到Cadence软件所提供的Extract和LVS两种工具。集成运放电路的设计流程确定运算放大器的偏置电流。图给出了BiCMOS器件工艺的结构简图。这个指标比输入失调电压更重要因为输入失调电压可以通过调节电阻的阻值使其降为零输入失调电压的温漂却无法降为零。这一步还有一个重要的任务就是焊盘的布局。他无论在理论上还是在实践中都给与我很大的帮助使我得到不少的提高这对于我以后的工作和学习都有一种巨大的帮助感谢他耐心的辅导。确定放大器的补偿。其剖面图如图所示:图反型槽剖面图反型槽有两个作用:包围基区以防止增强氧化层的扩散对基区造成过推结包围肖特基接触允许基区和发射区的接触刻蚀同时进行。在ParametricAnalysis窗口中填入变量名称(温度变量是temp)设定扫描范围以及步长等。(保密论文在解密后遵守此规定) 作者签名:二〇一〇年九月二十日致谢时间飞逝大学的学习生活很快就要过去在这四年的学习生活中收获了很多而这些成绩的取得是和一直关心帮助我的人分不开的。布局和布线布局指将设计好的功能模块合理地摆放在芯片上规划好它们的位置其目的是在不影响性能的情况下尽量减小它们的布局面积。参考文献刘树林程红丽.低频电子线路.北京:机械工业出版社.朱正涌张海洋朱元红.半导体集成电路(第二版).北京:清华大学出版社.刘树林张华曹柴长春.半导体器件物理.北京:电子工业出版社.关旭东.硅集成电路工艺基础.北京:北京大学出版社.(美)BehzadRazavi.模拟CMOS集成电路设计西安:西安交通大学出版社.张建人MOS集成电路分析与设计基础北京:电子工业出版社(美)AlanHastings模拟电路版图的艺术北京:电子工业出版社张延庆张开华朱兆宗.半导体集成电路.上海:上海科学技术出版社王振红.运算放大器应用.北京:化学工业出版社.谭博学苗汇静集成电路原理及应用北京:电子工业出版社李联MOS运算放大器原理、设计与应用上海:复旦大学出版社夏武颖半导体器件模型和工艺模型北京:科学出版社吴建辉CMOS模拟集成电路分析与设计.北京:电子工业出版社.李伟华.集成电路版图基础.北京:清华大学出版社.附录(DRC验证规则)an阱(well)n阱的最小宽度ub阱与阱之间的最小间距ucndiff到nwell的最小间距udpdiff到nwell的最小间距uepmos器件必须在nwell内a有源区(active)有源区的最小宽度ub有源区之间的最小间距ua多晶硅(poly)多晶硅的最小宽度ub多晶硅间的最小宽度uc多晶硅与有源区的最小间距ud多晶硅栅在场区上的最小露头ue源、漏与栅的最小间距ua引线孔(contact)引线孔的最小宽度ub引线孔间的最小间距uc多晶硅覆盖引线孔的最小间距udmetal覆盖引线孔的最小间距ua金属(metal)金属的最小宽度ub金属间的最小间距ua金属(metal)金属的最小宽度ub金属间的最小间距uc金属的最小挖槽深度ua通孔(via)通孔的最小宽度ub通孔间的最小间距uc通孔与引线孔间的最小间距udmetal覆盖通孔的最小间距uemetal覆盖通孔的最小间距uf通孔与多晶硅的最小间距u毕业设计(论文)原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺:所呈交的毕业设计(论文)是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。相同内型MOS管源漏区连接时采用直接连接可以减小源漏区面积减小寄生电容及漏电同时也减小了芯片面积。其总电路的版图如图所示:图放大器版图版图验证的具体过程在版图画好之后就要对其进行验证。etcTheidealamplifiershouldwithoutnoise,

  当我的版图没有经过验证时他又让我耐心检查错误并告诉我更合理的画法还为我仔细讲解了电路原理在最后的仿真中当然还得感谢我的父母在这一个月的艰苦奋斗中他们默默的为我付出(每天为我做饭并给我创造了一个安静、舒适的环境)。爱问共享资料拥有内容丰富的相关文档,采用复合电路。涵盖了从一年级上下册到六年级上下册的教案内容,BiCMOS工艺可满足现代大规模集成电路对器件性能的要求特别适用于高压和大电流的功率电路在今后的高性能集成电路中有很大的发展潜力。其值越大越好(一般为dBdB)。其主要的内容是要确认经综合后的逻辑电路是否符合功能需求该工作一般利用门电路级验证工具完成。作者签名:日期:​​​​​​​​​​​​指导教师签名:日期:使用授权说明本人完全了解大学关于收集、保存、使用毕业设计(论文)的规定即:按照学校要求提交毕业设计(论文)的印刷本和电子版本学校有权保存毕业设计(论文)的印刷本和电子版并提供目录检索与阅览服务学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文在不以赢利为目的前提下学校可以公布论文的部分或全部内容。我们通常采用自上而下的设计思路即从最小模块到整个电路的版图设计需要建立多个设计单元。作者签名:日期:​​​​​​​​​​​​学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。我们采用的是Cadence和VirtuosoLayoutEditor的版图设计环境来进行版图的设计和验证。※集成电路的特点:.单个元件精度不高受温度影响也大但元器件的性能参数比较一致对称性好。但此工艺中NPN管的基区太宽集电极和基极的串联电阻太大另外NPN管和PMOS管共用一个衬底所以限制了NPN管的应用。完成版图经过检查确认版图设计正确无误后就可以生成GDSII或CIF文件。必须提及的是这个阶段的验证仿真需要考虑门电路的延迟。焊盘作为电路的输入输出并用于测试而保护环则用来连接对地的PAD并起到隔离衬底噪声的作用。本次毕业设计大概持续了半年现在终于到结尾了!

  编辑版图版图编辑工作是在Virtuoso工具中进行的。infiniteoutputimpedanceandzerooffsetvoltageInthispaper,我们知道:交流分析是分析电流(电压)和频率之间的关系因此在参数范围选择时是选择频率。选择合适掺杂浓度的阱和外延层可以同时将NMOS管和PMOS管的阈值电压调整到期望值。其剖面图如图所示:图多晶硅的淀积及光刻剖面图源漏注入在硅片上涂一层光刻胶采用轻掺杂的N型源漏注入的掩膜版进行光刻磷注入形成自对准于多晶硅栅的轻掺杂源区和漏区。运算放大器一般有两个输入端(同相输入端)(反相输入端)和一个输出端如图所示。例如段沟道的PMOS晶体管需要一个中度掺杂的阱以防止击穿而双极型晶体管需要一个轻掺杂的阱以形成集电极漂移因此要选择一个折衷的掺杂浓度来满足MOS器件和双极型器件的性能需求。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。即把上一步提取所得到的Extracted的文件与Schematic视图中的电路原理图进行对比检查它们之间的关系是否正确。

  我们选择差分放大级作为运算放大器的第一级其小信号增益为:=()(式)∵===(式)我们分析运算放大器的两个输入(即管和管的栅极)电压相同时由于镜像电流的作用流过管和管的电流相等这样便可知管的栅源电压和漏源电压相等。在毕业设计的过程中我出现过许多问题王瑾同事给了我许多专业方面的指导并向我提出了很多建议和意见。其中寄生电容是影响电路性能的主要因素。此时输入电压与输出电压的方向相同。图大信号上升响应其大信号下降响应如图所示摆率为VuS=VuS图大信号下降响应其小信号上升响应如图所示摆率为VuS=mVuS图小信号上升响应其小信号下降响应如图所示摆率为mVuS=mVuS图小信号下降响应共模输出范围如图所示其共模输出范围为V。经过这次毕业设计我的能力有了很大的提高比如操作能力、分析问题的能力、合作精神、严谨的工作作风等方方面面都有很大的进步。差分输入管会发生反向击穿现象。输入失调电流输入失调电流是指在输入电压为零时输入级的差分对管基极(或漏极)电流的差值这个参数用于表征差分级输入电流不对称的程度(一般为nAuA)。(即正向输入端和反向输入端的电流相等)和虚断(即正向输入端和反向输入端的点位相等)这两个特点来分析电路。我们先计算出流经的电流(即的电流)=(式)代入参数可得=uA这个放大器的第二级是由两个PMOS管构成的源极跟随缓冲放大级它的增益为:=()=(式)将参数代入式可得=由此得到放大器的开环增益为:===∴log==dB将运算结果与仿真结果相比结果是比较吻合。

  我们首先在系统中建立自己的库如图所示:图建库窗口建完库后就可以在自己的库下面建立电路编辑单元如图所示:图建立电路编辑窗口CMOS集成运放的电路图打开电路编辑单元就可以进行电路编辑了。首先非常感谢学校开设这个课题为本人日后从事计算机方面的工作提供了经验奠定了基础。站内每天千位行业名人共享最新资料。在图所示的窗口下选择Extract会弹出如图所示的窗口:图提取Extract文件工艺选择窗口再填上RulesFile和RulesLibrary即提取Extract文件所对应的工艺文件和工艺库之后就可以选择OK进行提取了。接着利用VHDL或Verilog的电路仿真器对设计进行功能验证(functionsimulation或行为验证behavioralsimulation)。双极型工艺虽然工作速度高、驱动能力强、模拟精度高但它的功耗大和集成度低不能满足今天大规模集成电路技术的发展要求。其剖面图如图所示:图N阱扩散和深重掺杂N区剖面图基区注入在硅片上生长一层厚度均匀的薄缓冲氧化层使用基区掩膜版进行光刻通过硼注入形成P型区随后再进行退火工艺然后通过高温工艺完成基区推结并确定最终的结深。四年的大学生活就快走入尾声我们的校园生活就要划上句号心中是无尽的难舍与眷恋。版图的设计既要符合集成电路的功能、电学参数、可靠性参数要求又要符合集成电路工艺制造的设计规则(工艺参数)、组装压焊的要求。BiCMOS工艺的分类以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺以P阱CMOS为基础的BiCMOS工艺这种工艺以P阱作为NPN管的基区以请掺杂的N型衬底作为NPN管的集电极以重掺杂的N注入作为NPN管的发射极扩散和集电极的扩散。除此之外还要使组图美观好看具有美学观点。接触孔是用于栅和一层金属或者衬底一层金属之间的连接它可以有效控制硅片的电阻并可以形成肖特基二极管。其编辑结果如图所示:图电路原理图在这次设计中我采用差动放大电路作为运算放大器的输入级!

  最后还要感谢所有帮助过我的人谢谢你们!当运算放大器工作在线性区的时候根据电路的不同连接方式可以形成比例运算电路(包括反比例运算电路、同向比例电路和差分比例电路)加法运算电路加法运算电路积分运算电路和微分运算电路等。输入失调电流温漂ddT输入失调电流温漂是指在规定工作温度范围内输入失调电流随温度的变化量与温度变化量的比值。硬件语言设计描述文件的编写格式是决定综合工具执行效率的一个重要因素。其次在版图的编辑过程中我也学会合理布局尽量减小版图的面积在减小版图面积的同时还需要考虑整体版图的美观、布局对电路性能的影响以及布线等各方的因素。在所有的工艺完成之后在器件的最外层加一层保护层通常选用氮化硅来作为这层保护层。

  建立版图单元图建立版图单元在自己所建的库中建立版图编辑单元layout单元如图所示。andinputimpedance,在画版图的时候要不时的对版图进行DRC检查并及时进行修改因为在做DRC的修改时往往会改变版图的尺寸大小。版图,如需使用密码登录,布局完成后根据电路图对各个器件饯行布线。学友情深情同兄妹。当然我们需要输出的有时不仅仅是电流、电压还有一些更高级的。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体均已在文中以明确方式注明并表示感谢。=Aλ=将电路原理图中的宽长比与上述参数代入式式可得:=V=V那么管提供的差分偏执电流=(式)将对应的参数代入式可得=uA差分放大级的偏置电流一般根据增益共模抑制比功耗和噪声以及匹配性等来确定。通过本次毕业设计我完成了一个增益为dB,设计描述和行为级验证功能设计完成后可以依据功能将SOC划分为若干功能模块并决定实现这些功能将要使用的IP核。确定MOS管的栅源电压。andalsostudybrieflythesolutionoftheBiCMOSprocessstepsTheopampcircuitincludingtheinputstage,

  comparators,由集成工艺制造的元件参数的精度不高而且器件受温度的影响比较大但由于各个元件都做在同一个硅片上距离近所以电路的对称性比较好。在编辑的过程中根据所设计的电路原理图中各个器件的参数在调用底层各单元时只要在参数项中修改各参数使其和电路图中的参数一直即可如图所示。建立底层单元在自己的库中建立个下层单元以方便版图的整体编辑。当输入电压加在端和参考电压端(指公共端一般为零电位)之间时,最后就是验证方面的知识主要包括DRC验证和LVS验证了解它们的验证步骤以及验证出错后该如何修改。输入失调电压温漂ddT输入失调电压温漂是指在规定的工作温度范围内输入失调电压随温度的变化量与温度变化量的比值也就是的温度系数它是衡量运算放大器温漂的重要参数其值越小越好。这种工艺不仅集成度高而且这些器件的性能稳定以满足新应用的需求。

  为了区别两个不同的输入端,在电路处于深度负反馈时可利用理想运算放大器工作在线;在集成电路的制作工艺中有源器件比无源器件的制作方便而且面积小所以常用有源器件代替无源器件。光刻后的剖面图如图所示:图沟道终止注入剖面图LOCOS处理LOCOS氧化是采用整齐或高压来提高氧化生长速率然后除去氮化层以及下面的缓冲氧化层。集成运放电路的组成及各部分的作用※电路组成(如图)图放大器的组成※电路各部分的作用如图所示集成运算放大器的电路一般由四部分组成:输入级:一般是一个双端输入的差分式放大电路要求其输入阻抗尽可能大、开环增益大其对称性可以提供大的共模抑制比同时还要求静态工作电流小该级的具体参数将直接影响放大器的主要性能所以对设计来说相对比较重要。这种工艺的有点主要表现在:()工艺简单()MOS管的开启电压可以通过一次离子注入进行调整()NPN管自隔离。

  其次我要感谢大学四年中所有的任课老师和辅导员在学习期间对我的严格要求感谢他们对我学习上和生活上的帮助使我了解了许多专业知识和为人的道理能够在今后的生活道路上有继续奋斗的力量。这三种寄生参数会给电路带来以下影响:()引入噪声影响电路的稳定性和可靠性。filters,第三章CMOS运算放大器后端设计集成电路的后端设计主要包括版图设计和版图验证。这期间凝聚了很多人的心血在此我表示由衷的感谢。在集成电路中容量大的电容不易制作而且采用阻容耦合会使得电路的延迟变大所以集成运算放大器各级之间一般采用直接耦合的方式。放大器增益参数的计算我们首先计算直流偏置令电源电压=V:由电路原理图可知流经,以双极型工艺为基础的BiCMOS工艺以双极型工艺为基础的P阱BiCMOS工艺该工艺采用成熟的PN结对通隔离技术。如果画完整个版图各个模块的相对位置已经确定这时再进行DRC验证可能会牵一发而动全身使得整个版图都要饯行修改。版图设计主要是熟悉设计规则布局布线合理美观并要进行DRC验证和LVS验证。这样使得电路的结构更加严谨层次分明。为电流源。请先进入【个人中心】-【账号管理】-【设置密码】完成设置关于毕业论文_Bi-CMOS集成运算放大器的电路分析及版图设计.doc文档,首先我要特别感谢我的知道郭谦功老师对我的悉心指导在我的论文书写及设计过程中给了我大量的帮助和指导为我理清了设计思路和操作方法并对我所做的课题提出了有效的改进方案。在运行模拟之后这些输出将会很直观的显示出来。本次毕业设计是对我大学四年学习下来最好的检验。